Hergestellt von Heathkit.

• Prinzip: Transistortester

• Batterien: sieben 1,5 V UM-3-Batterien, sechs für Collector / Leak-Testspannung und eine für Basisvorspannung BIAS.

• 1242 x 140 x 268 mm, Gewicht 1.8 kg

Beim Transistor - Tester handelt es sich um ein Testgerät für Transistoren, damit können Gain und Leckströme von Transistoren gemessen werden.

Mit den eingelegten sieben UM-3-Batterien (wegen der Mittelagriffe für die 1,5 V - Spannungsschritte ist ein Betrieb mit einem Nestzspeisegerät nicht möglich und man muss sich um den Kauf der teuren Batterien kümmern, die dafür lange Zeit halten) können mit dem netzunabhängigen Gerät Transistoren auf Funktion und Kurzschluss untersucht werden.

Getestet werden können neben NPN- und PNP-Transistoren auch Dioden (auf Sperrspannung), nicht aber FET und weitere weiterentwickelte Halbleiter.

Die Bedienung ist nicht ganz selbsterklärend… zunächst müssen bei einem Transistor die drei Anschlüsse Emitter, Basis und Collector identifiziert werden. Hierzu helfen Datenblätter (im radiomuseum.org), Transistor-Datenbücher (die Anschlussbeschaltung ist nicht immer enthalten) oder nach meiner Erfahrung am einfachsten ein Komponententester fernöstlicher Provenienz. Es gibt auch die Möglichkeit mit einem Multimeter die Anschlüsse aufgrund von spannungsabhängigem Durchlassverhalten auszutesten.

Das Handbuch beschreibt die Möglichkeit, zwischen PNP- und NPN-Transistoren zu unterscheiden, aber bis ich die Anschlussreihenfolge ausbaldowert habe, nehme ich den Komponententester zu Hilfe.

Als Vorbereitung muss der Transistortester einmal auf Funktion getestet werden, bei jahrelanger Lagerhaltung können sich Kontaktstörungen an den Batteriekontakten und den Drehschaltern einschleichen, die behoben werden müssen. Zunächst werden alle Regler und Schalter im Gegenuhrzeigersinn an den linken Anschlag gebracht. Mit dem Polaritätsschalter in der mittleren TRANSIT/OFF-Position sollte das Messinstrument beim Hin-und Herbewegen des Geräts deutlich mehr gedämpft sein, als in der NPN oder PNP-Position.

Nun wird in Stellung PNP des POLARITY-Schalters mit mit Collector Voltage Schalter in der 1,5 V Position der Messschalter B in die obere Position COLLECTOR VOLTAGE gebracht und das Instrument soll nach rechts bis 15 resp. 1,5 Volt ausschlagen. Mit dem POLARITY-Schalter nach links in die Position NPN sollte das Meter entsprechend nach links ausschlagen.

Analog sollte nun die Spannung zur Leckstrommessung kontrolliert werden, die verschiedenen Spannungen werden mit dem LEAK VOLTAGE Schalter gewählt (interne Positionen) und sollten korrekt angezeigt werden, wenn der Messschalter C in die obere Position LEAK VOLTAGE gebracht wird. Wenn die Anschlüsse für Emitter & Basis verbunden werden, kann mit der Einstellung PNP, Collectorstrom 150 mA, Leak Current 15 mA und Bias ganz links die BIAS-Einstellung überprüft werden. Der Testschalter A wird in die obere Position BASE CURRENT gebracht und der BIAS um 1/3 aufgedreht, das Instrument sollte um zwei Striche nach rechts ausschlagen.

Nun wird wieder die Grundeinstellung hergestellt, BIAS ganz links, Collector Voltage 1,5 V, Leak Voltage 9 V, Collectur Current 15 mA, Leak Current 1,5 mA, Gain ganz links.

Der Transistor wird mit korrekter Anschlussreihenfolge in die Fassung eingesteckt, einfacher werden die drei Buchsen Collector, Emitter und Basis oben auf dem Gerät mit Microclips mit den entsprechenden Beinen des Transistors verbunden.

Nun wird bei einem Transistor mit unbekannten Spezifikationen mit den obigen Einstellungen untersucht, oder entsprechende Spannungen gemäss Datenblatt eingestellt.

Mit dem Testschalter C in Position SHORT TEST sollte das Instrument kaum ausschlagen, ein Ausschlag von >4/15 zeigt einen Kurzschluss im Transistor an und er sollte entsorgt werden.

Die Leckströme ICEO und ICBO werden nun gemessen, ggf. muss der Schalter LEAK CURRENT in einen anderen Messbereich geschaltet werden. Der ICBO sollte deutlich kleiner sein als der ICEO und er sollte bei Kleinsignaltransistoren 25 μA nicht übersteigen.

Nun werden anhand der Transistordaten der Collectorstrom und -spannung eingestellt. Bei unbekannten Transistoren kann eine Collectorspannung von 1,5 V eingestellt werden. Nun wird der Messschalter B in die Position COLLECTOR CURRENT gebracht und der BIAS-Regler aufgedreht, es wird nun der Collectorstrom gemessen, mit dem der Gain gemessen wird, bei unbekannten Transistoren sind 5 mA Collectorstrom ein guter Ansatz.

Nun wird der Regler GAIN langsam aufgedreht, bis das Instrument 0 anzeigt, bei Transistoren mit hohem Verstärkungsfaktor muss ggf. in die Position HIGH 200 - 400 gebracht werden, der Gain kann an der Position von der Skala des Drehknopfs abgelesen werden, auf der das Instrument im Nullpunkt steht.

Zur Qualitätskontrolle von PNP - Transistoren können die Collectorspannung und Collectorstrom eingestellt und mit dem Gain-Regler der zu erwartende minimale Gain eingestellt werden, bei Transistoren mit geringerem Gain wird das Instrument nach links ausschlagen. Bei NPN - Transistoren spricht eine Abweichung des Meters nach rechts zu ungenügendem Gain.

Im Handbuch ist geschrieben, wie verschiedene Betriebsparameter gemessen werden können.

Transistortestgerät.

Kein aktiven Bauelemente

• Technische Unterlagen finden sich im Web

• Heathkit IM-36 Transistor Tester auf der Website von www.radiomuseum.org